家庭:FET - 單路
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:600 毫歐 @ 6A, 10V
漏源電壓(Vdss):600V
電流 - 連續漏(Id) @ 25° C:11A
Id 時的 Vgs(th)():4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:140nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :2700pF @ 25V
功率 - :180W
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FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:600 毫歐 @ 6A, 10V
漏源電壓(Vdss):600V
電流 - 連續漏(Id) @ 25° C:11A
Id 時的 Vgs(th)():4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:140nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :2700pF @ 25V
功率 - :180W